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Réalisation d’un transistron

Les transistors anciens disponibles sont tous à jonction : les couches P et N alternent sur un même cristal. Par contre les diodes de détection à pointes genre OA79, OA80, OA81, OA 85 offrent la possibilité de se procurer le précieux cristal. Si l’on coupe en deux l’enveloppe en verre, on se trouve en présence d’un cristal carré ou rond d’environ 1mm ayant pour seul défaut une microscopique zone de diffusion P sous l’emplacement de la pointe venant le polluer. Mais cette zone est tellement infime ! En clair, c’est le rêve, on est en présence d’une base de type N pour réaliser un transistor PNP à pointes, un transistron !

La volonté de faire les choses au mieux m’a fait utiliser des pointes en platine, mais nous verrons que beaucoup d’autres métaux conviennent. Le résultat est étonnant : avec une légère pression les pointes E et C sont opérationnelles. A partir d’un écart inférieur à 0,1 mm l’effet transistor est constaté. Le gain est inférieur à 1 mais il monte très vite si l’on rapproche les électrodes.
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